研究生教学

答辩人：曹江涛                         指导老师：邵斌 副教授

论文题目：基于深度学习哈密顿量方法的金刚石/碳化硅异质结电子结构预测研究

答辩人：叶照青                         指导老师：邵斌 副教授

金属元素掺杂调控CdS电子结构及CdS/Sb₂Se₃异质结界面性质的第一性原理研究

答辩人：罗洪                           指导老师：左旭 教授

论文题目：非晶二氧化硅/硅界面氢缺陷的第一性原理研究

答辩人：郭昕                           指导老师：左旭 教授

论文题目：氢掺杂非晶碳化硅的扩散机理与电子性质：分子动力学与第一性原理研究

答辩人：齐迪                           指导老师：左旭 教授

论文题目：非晶二氧化硅/硅界面缺陷多声子非辐射载流子俘获系数的第一性原理研究

答辩人：马子钊                          指导老师：左旭 教授

论文题目：非晶二氧化硅/硅界面及界面缺陷钝化和去钝化反应的第一性原理研究

答辩委员会主席：

左涛 首席科学家，研究员 中电集团38所

答辩委员会：

刘舒扬 正高级工程师 启元国家实验室

左  旭     教授     南开大学电子信息与光学工程学院

邵  斌    副教授    南开大学电子信息与光学工程学院

答辩秘书：

季  鲁    教授    南开大学电子信息与光学工程学院

答辩时间：2026年05月15日（星期五）上午9:00

答辩地点：南开大学电子信息与光学工程学院513