王广才

师资队伍

  • 王广才
    性别 : 所属部门 : 光电子薄膜器件与技术研究所
    职称 : 高级工程师 学历 : 博士
    行政职务 : 所学专业 : 半导体物理与半导体器件物理
    办公电话 :
    邮箱 : wgc2008@nankai.edu.cn
    研究方向 : 薄膜光电子材料与器件、太阳能电池、光伏能源器件及材料测试

个人简历

 王广才,1987年7月南开大学电子科学系本科毕业,获学士学位,1996年7月南开大学光电子所博士毕业,获博士学位。1998~2005年在香港MOSDESIGN (HK) LTD.访问学者。发表论文16篇,主持4项科研项目。研究方向有:硅基薄膜太阳电池的设计、测试和制备技术;锑化铟薄膜霍尔元件的研究、制备和测试;集成电路设计、测试。目前主要从事薄膜光电子材料与器件的研究与测试仪器开发工作。


       

科研项目/成果/获奖/专利

高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31

非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01

其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31

高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31

非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01

其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01

高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31

非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01

其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31

高效低成本硅基薄膜电池制造技术研发----2013-01-01到2015-12-31

非晶硅锗在大面积叠层太阳电池中的应用----1994-04-01到1996-04-01

其他纵向项目----1980-01-01到2010-01-01

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-01-01到2018-12-31

高性能低成本薄膜型锑化铟霍尔元件的研发----2018-05-22到2019-12-31

激活能和光暗电导真空测试及自动控制系统的研制合同----2015-01-05

光伏玻璃减反射膜的研制----2011-09-19

通过外部技术手段改善薄膜太阳能电池转换效率(或寿命)的可行性分析----2009-03-15

其他横向项目----1980-01-01

激活能和光暗电导真空测试及自动控制系统的研制合同----2015-01-05

光伏玻璃减反射膜的研制----2011-09-19

通过外部技术手段改善薄膜太阳能电池转换效率(或寿命)的可行性分析----2009-03-15

其他横向项目----1980-01-01

论文/专著/教材

1、非晶硅锗单结电池的研究,《半导体杂志》,第22卷第3期,(1997),p.1-8 
 2、高质量非晶硅锗材料的研制,《半导体杂志》,第22卷第2期,(1997),p.12-15 
 3、大面积高效率非晶硅基叠层太阳电池的研究,《光电子•激光》,第8卷第6期,(1997) 
 4、叠层太阳电池的设计,《半导体杂志》,第17卷第1期,(1992) ,p.15-24 
 5、非晶硅太阳电池本征层的特性研究,《光电子•激光》,第4卷第1期,1993年,p.7-12 
 6、YAG Laser Annealing Used to Produce Poly-Si Films,Phys. Stat. Sol.(a) 132, (1992), k75-k80 
 7、400cm2单结集成型a-Si太阳电池的研制,《太阳能学报》,Vol.13,No.2,1992年,p.203-206

讲授课程

1、等离子体物理学(博士);2、等离子体放电原理与应用(硕士) 
3、《气候变化与清洁能源》本科生公共选修课;4、《3D打印》本科生公共选修课

社会兼职